این تل فناوری بستهبندی پیشرفته EMIB-T را که از بستههای حداکثر 120×120 میلیمتر پشتیبانی میکند، معرفی کرد. نرخ بازدهی تأیید فناوری به 90٪ رسیده است، اما باید آن را از نرخ بازدهی نهایی تولید متمایز کرد. EMIB-T با استفاده از الکترودهای سیلیکونی نفوذی (TSV) عملکرد تأمین برق و انتقال سیگنالهای پرسرعت را بهبود میبخشد و هدف آن فاصله پین 25 میکرومتری، بسته 120×120 میلیمتری، ادغام سیلیکون محاسباتی و حافظه با مساحت بیش از 9 رتیكل، پشتیبانی از HBM4e با سرعت 12Gb/s و UCIe با سرعت 64Gb/s است. بزرگسازی شتابدهندههای هوش مصنوعی و تراشههای محاسبات با کارایی بالا (HPC) زمینهساز توجه به EMIB-T است. CoWoS TSMC از اینترپوزر سیلیکونی بزرگ برای اتصال تراشههای منطقی و HBM استفاده میکند، در حالی که خانواده EMIB اینتل ساختاری دارد که در آن پلهای سیلیکونی کوچکی قرار داده میشود، که میتواند مصرف سیلیکون و بار تولید را کاهش دهد. تحلیلگر گوانگچی اشاره کرد که رسیدن به نرخ بازدهی تأیید فناوری EMIB-T به 90٪ مثبت است، اما فرآیند افزایش نرخ بازدهی از 90٪ به بالای 98٪ دشوار است. TSMC در حال گسترش مقیاس تولید CoWoS است و انتظار میرود در سال 2026 محصولات با 14 برابر رتیكل تولید کند. اینتل در حال گسترش کسبوکار بستهبندی پیشرفته خود برای مشتریان خارجی است و اعلام کرده است که حجم قراردادها به نزدیک به میلیاردها دلار در سال رسیده است. رقابت EMIB-T پس از انتشار نرخ بازدهی تولید محصولات مشتریان خارجی و نمونههای واقعی ارزیابی خواهد شد.
این محتوا صرفاً برای اطلاعرسانی عمومی ارائه شده است و بهمنزله مشاوره مالی، سرمایهگذاری، حقوقی یا مالیاتی تلقی نمیشود. هرگونه رویداد، جایزه، کمپین آنلاین یا اطلاعات مرتبط که در اینجا ذکر شده است، نباید بهعنوان توصیه، ترغیب یا دعوت به خرید، فروش، معامله یا هرگونه دادوستد دیگر داراییهای رمزارزی تلقی شود. داراییهای رمزارزی از نوسان بالایی برخوردار هستند و ممکن است منجر به زیان شوند. دسترسی به خدمات، محصولات و رویدادهای مرتبط با WEEX ممکن است بسته به منطقه جغرافیایی متفاوت باشد. اطمینان از اینکه استفاده شما از این خدمات با قوانین و مقررات محلی مطابقت دارد، بر عهده خود شماست.





























